RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2349
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A3000C12 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link