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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
104
左右 -225% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
32
读取速度,GB/s
3,192.0
10.8
写入速度,GB/s
2,404.5
8.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2349
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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