RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
104
Wokół strony -215% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3671
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link