RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
104
Wokół strony -478% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3814
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link