RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
74
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1433
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link