RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
74
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
4064
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link