RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
73
Wokół strony -192% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2740
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link