RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
73
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2283
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link