RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3087
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link