RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
69
Wokół strony -263% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.9
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
17.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3862
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link