RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
69
Por volta de -263% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.9
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
19
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
17.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3862
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link