RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
69
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3666
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link