RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
69
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3562
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link