RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
69
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
55
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2274
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link