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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
69
左右 -25% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
55
读取速度,GB/s
3,325.1
19.5
写入速度,GB/s
1,441.2
8.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2274
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Mushkin 991586 2GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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