RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.2
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
21.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
19.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
4349
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link