RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
69
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2356
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link