RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
69
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2014
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link