RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
68
76
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
76
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
1859
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link