RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
68
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3573
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link