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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
68
左右 -106% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.0
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
33
读取速度,GB/s
3,886.6
16.8
写入速度,GB/s
1,702.6
16.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
3573
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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