RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
68
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2387
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link