RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
2910
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link