RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Porównaj
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
55
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
55
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2701
3116
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link