RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2699
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link