RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3233
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link