RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
75
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
75
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1548
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link