RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
86
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
5.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
86
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1220
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link