RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3190
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link