RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2200
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Ramos Technology EWB4GB681CA3-16IC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link