RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
104
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2568
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link