RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
104
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2568
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link