RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
104
Intorno -117% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
48
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2568
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link