RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2663
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link