RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
47
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
2429
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Inmos + 256MB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link