RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
45
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2576
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link