RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3406
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link