RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
44
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
3063
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link