RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

总分
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

总分
star star star star star
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB 需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    18 left arrow 44
    左右 -144% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.4 left arrow 13
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.9 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 18
  • 读取速度，GB/s
    13.0 left arrow 19.4
  • 写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 15.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2069 left arrow 3063

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
内存RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
内存RAM