RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
48
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
44
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2069
1420
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link