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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
48
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
48
读取速度,GB/s
13.0
8.9
写入速度,GB/s
8.2
5.9
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
1420
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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