RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
48
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
45
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2190
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link