RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
48
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3217
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBXL 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link