RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
48
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
40
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2031
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link