RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
48
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
40
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
9.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2031
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link