RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
71
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
71
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1650
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link