RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
83
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
83
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1774
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link