RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
3692
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link