RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2016
2680
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link