RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
40
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3632
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link