RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2502
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link